Samsung wprowadzi technologię zasilania tylnego do procesu technologicznego 2 nm w 2025 r. Zmniejszy powierzchnię chipa o 19%, przyniesie poprawę wydajności

Samsung może nie odniósł dużego sukcesu w procesie 3 nm GAA, ale zamierza to nadrobić dzięki technologii 2 nm nowej generacji, która podobno wejdzie do masowej produkcji w przyszłym roku. Aby zyskać przewagę nad rywalem TSMC, w nowym raporcie stwierdzono, że koreański gigant wprowadza technologię Backside Power Supply (BSPDN), która ma zapewnić szereg korzyści, które omówimy tutaj.

Technologia BSPDN była podobno testowana z dwoma rdzeniami ARM, a Samsungowi udało się w różnym stopniu zmniejszyć powierzchnię chipa obu

Będzie to konkurencyjne starcie pomiędzy Samsungiem i TSMC, ponieważ obydwie firmy chcą przedstawić najlepszą wersję swoich węzłów wykonanych w procesie technologicznym 2 nm. W przypadku firmy Samsung raport Chosun stwierdza, że ​​oczekuje się, że technologia Backside Power Supply zmieni reguły gry, a wstępne wyniki testów przekroczyły cel firmy. Jeśli chodzi o konkretne testy, Samsung miał zastosować tę technologię w dwóch nienazwanych rdzeniach ARM, zmniejszając powierzchnię chipa o 10 i 19 procent.

Dzięki zmniejszeniu powierzchni chipa Samsung może skutecznie rozpocząć masową produkcję układów SoC, które zachwalają mniejszą powierzchnię. I nie tylko. Wcześniejsze testy pomogły w znacznej poprawie wydajności i poziomu efektywności energetycznej. Jak stwierdzono w raporcie, BSPDN to nowy proces, który nie został jeszcze skomercjalizowany, chociaż nie wspomniano, czy było to spowodowane ograniczeniami kosztowymi, czy też nie poświęcono zbyt wiele uwagi badaniu tej technologii.

W każdym razie, jak sama nazwa wskazuje, Backside Power Supply to linie zasilające umieszczone z tyłu płytki, które oddzielają obwód od przestrzeni zasilającej. Pomaga to zmaksymalizować wydajność, a także istnieje możliwość poprawy wydajności półprzewodników. Obecnie linie zasilające są umieszczane na górze płytek, ponieważ to tam jest rysowany obwód, co zapewnia producentowi mnóstwo wygody. Jednakże w miarę jak obwody stają się coraz bardziej wyrafinowane, a Samsung i TSMC zaczynają eksplorować zaawansowane rozwiązania, takie jak 2 nm, grawerowanie obwodów i linii energetycznych po jednej stronie staje się coraz trudniejsze.

Ostatecznie w miarę zmniejszania się przerwy w obwodzie pojawią się zakłócenia, co spowoduje więcej trudności zarówno w projektowaniu, jak i masowej produkcji. Mówi się już, że Samsung zabezpieczył pierwsze zamówienie na chipy 2 nm od japońskiego start-upu , ale nie jest jasne, czy w tej partii zastosowano technologię BSPDN. Nie ma żadnych wieści od TSMC eksperymentującego z zasilaczem Backside Power Supply, więc na papierze Samsung ma tutaj przewagę, choć czas pokaże, na ile skuteczne jest to podejście.

Źródło wiadomości: Chosun