Nowy dysk SSD Samsung 990 Pro M.2 popycha PCIe 4.0 do granic możliwości

Nowy dysk SSD Samsung 990 Pro M.2 popycha PCIe 4.0 do granic możliwości

Tydzień temu na liście PCI-SIG ujawniono, że Samsung pracuje nad nowym dyskiem SSD 990 Pro PCIe 5.0. Jak się okazuje, Samsung 990 Pro jest w rzeczywistości dyskiem SSD PCIe 4.0, ale nowe połączenie V-NAND i nowej technologii kontrolera Samsunga pozwala firmie uzyskać jak największą prędkość z dysku. 

Dzisiaj na targach Gamescom Samsung oficjalnie zaprezentował dysk SSD 990 Pro M.2 z najnowszą technologią V-NAND i zupełnie nowym kontrolerem. Razem pozwala to dyskowi SSD osiągnąć sekwencyjne prędkości odczytu/zapisu odpowiednio do 7450 MB/s i 6900 MB/s.

Prędkości losowego odczytu i zapisu odpowiednio do 1400 000 i 1 500 000 IOPS są do 55% szybsze niż w przypadku dysku SSD 980 Pro, dzięki czemu nowy 990 Pro jest szczególnie odpowiedni do gier i zadań kreatywnych/pracy. W grach Samsung przetestował dysk SSD z nadchodzącą japońską grą RPG Forspoken, która pozwoliła na załadowanie gry w ciągu jednej sekundy, w porównaniu do 28 sekund na dysku twardym.

Możesz zobaczyć pełną specyfikację w poniższej tabeli:

Kategoria dysk SSD Samsung

 

990 PRO | 990 PRO z radiatorem

Interfejs PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Współczynnik kształtu M.2 (2280)
pamięć do przechowywania Samsung V-NAND 3-bitowy TLC
Kontroler Wewnętrzny kontroler Samsung
Pojemność 1 TB 2 TB 4 TB
AMD 1 GB LPDDR4 2 GB LPDDR4 4 GB LPDDR4
Sekwencyjna prędkość odczytu/zapisu Do 7450 MB/s, Do 6900 MB/s
Losowa prędkość odczytu/zapisu (QD32) Do 1400 tys. IOPS, do 1550 tys. IOPS
Oprogramowanie do zarządzania Oprogramowanie Samsung Magician
Szyfrowanie danych 256-bitowe szyfrowanie pełnego dysku AES, TCG/Opal V2.0,

 

Zaszyfrowany dysk (IEEE1667)

Całkowita liczba zapisanych bajtów 600 TB 1200 TB 2400 TB

Dysk SSD Samsung 990 Pro M.2 będzie dostępny od października w cenie 154,99 GBP za model 1 TB i 283,99 GBP za model 2 TB. Wersja 4 TB będzie dostępna w przyszłym roku, a ceny nie zostały jeszcze potwierdzone.

Dodaj komentarz

Twój adres e-mail nie zostanie opublikowany. Wymagane pola są oznaczone *